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关于共模扼流线圈FW/FL-V系列的SPICE模型

关于共模扼流线圈的阻抗特性和等效回路概要
在图1中,如蓝线所示,理想阻抗特性的增加与频率成正比。
然而实际上,由于磁芯内产生的涡流损耗等造成的损耗,以及绕组间容量引起的阻抗降低等,会产生如红色虚线所示的阻抗特性。此处,红色虚线的特性可以用图1中的Lo、R、C的并行回路来表示,Lo表示共模电感,R通过阻抗表示涡流造成的损耗,C表示绕组间容量。

此外,Lo、R、C在红色虚线中的特性为,Lo在低频侧,R在中频带,C在高频侧形成阻抗特性。而用R表示的中频带实际上有频率依赖性,如果只有阻抗R,则会与实际测量值产生差异。
图1中的Lo、R、C的等效回路称为旧模型,而改善了R表示的等效回路则为详细模型,导入至将在下文中进行说明的FW、FL-V系列的SPICE模型中。

(备注)关于共模扼流线圈的基础和基本等效回路(旧模型)的说明,请参照我司FAQ网站上的共模电感扼流线圈相关页面。
理想特性与实际特性

图1. 使用纳米晶合金的共模扼流线圈的理想特性和实际特性概略图

FW, FL-V系列SPICE模型的特征
如图2所示,FW系列的SPICE模型是详细模型,在阻抗特性中阻抗成分R占主导地位的频带中,其阻抗再现性较旧模型(适用于我司FL系列中的两种)做了提升。
将如图3所示的旧模型的R,改为如图4所示的详细模型的R’的梯形结构,从而提高了阻抗成分控制频带的阻抗特性再现性。
R占主导地位的频带中,实际上存在频率依赖性,而导入R’正是为了再现频率依赖性。
阻抗实测值与SPICE模型的比较

图2. FL-V扼流线圈(代表样品)阻抗实测值与SPICE模型的比较

共模扼流线圈传统模型

图3. 共模扼流线圈传统模型(FL系列)

共模扼流线圈详细模型

图4. 共模扼流线圈详细模型(FL-V系列)

在FW, FL-V系列中导入上述详细模型的经过
导入详细模型的原委,在于FL系列与FW, FL-V系列的阻抗成分控制频带存在阻抗差。
与FL系列相比,FW, FL-V系列的阻抗成分控制频带的阻抗增加率更高,在FL系列所采用的旧模型中,FW, FL-V系列的阻抗再现性比FL系列更差。
为此,FW, FL-V系列导入了详细模型,从而提高了阻抗成分控制频带的再现性。
FW, FL-V系列SPICE模型的使用注意事项
  • 模拟再现性频带的目标大约为30MHz为止。
  • 本SPICE模型已通过OrCAD 9.2Lite Edition以及OrCAD Capture CIS-Lite version 17.2进行了运行验证。
  • 图2是关于纵向放置品的阻抗实测值和模拟值。
  • 由于该SPICE模型是由标准特性的样品构成,因此根据产品的不同,使用本SPICE模型的模拟值和实测值可能会产生偏差。
使用本资料的注意事项
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频率特性

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